光敏電阻是利用半導體光電導現象來探測光信號的器件。它可以是單晶薄片、多晶薄片、燒結成的多晶薄膜、真空蒸發薄膜、化學淀積薄膜或濺射膜等。
　　光敏電阻又稱為光導，幾乎都是用半導體材料制成。光敏電阻的結構和接線圖如圖9‐2所示。

　　光敏電阻在受到光的照射時，由于內光電效應使其導電性能增強，電阻值下降，所以流過負載電阻RL的電流及其兩端電壓也隨之變化。光線越強，電流越大，阻值也變得越低。當光照停止時，光電效應消失，電阻恢復原值。若把光敏電阻接成閉合回路，通過改變光照的強度就可改變回路中的電流大小，可將光信號轉換為電信號。
　　光敏半導體材料有硅、鍺、硫化鎘、硫化鉛、銻化銦、硒化鎘等。對于不具備發光特性的純半導體可以加入適量雜質使之產生光電效應特性。用來產生這種效應的物質由金屬的硫化物、硒化物、碲化物等組成，如硫化鎘、硫化鉛、硫化鉈、硫化鉍、硒化鎘、硒化鉛、碲化鉛等。光敏電阻應用取決于它的一系列特性，如暗電流、光電流、光敏電阻的伏安特性、光照特性、光譜特性、頻率特性、溫度特性以及光敏電阻的靈敏度、時間常數和最佳工作電壓等。